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  • 霍爾效應測量儀
    L79/HCS-Hall Effect Measurement System & TFA Thin Film Analyzer

    L79/HCS系統可用于半導體器件性能表征,包括:遷移率,電阻率,載流子濃度和霍爾常數。
    基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫(液氮)附件結合高溫爐(溫度可達800°C)可保證所有應用領域環境條件下的測試。永磁體和電磁可提供高達數個特斯拉強度的固定或者可變磁場。
    基于測量軟件可顯示的視窗內容包括I-V 和 I-R 數據圖.
    系統可測試多種材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可測量), 金屬膜, 氧化物等. 樣品測試時便可完成系統功能演示。
    特點
    ? 載流子濃度
    ? 電阻率
    ? 遷移率
    ? 電導率
    ? α (水平電阻值/垂直電阻值)
    ? 霍爾常數
    ? 磁致電阻



    霍爾效應測量儀
    L79/HCS-Hall Effect Measurement System & TFA Thin Film Analyzer

    L79/HCS系統可用于半導體器件性能表征,包括:遷移率,電阻率,載流子濃度和霍爾常數。
    基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫(液氮)附件結合高溫爐(溫度可達800°C)可保證所有應用領域環境條件下的測試。永磁體和電磁可提供高達數個特斯拉強度的固定或者可變磁場。
    基于測量軟件可顯示的視窗內容包括I-V 和 I-R 數據圖.
    系統可測試多種材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可測量), 金屬膜, 氧化物等. 樣品測試時便可完成系統功能演示。
    特點
    ? 載流子濃度
    ? 電阻率
    ? 遷移率
    ? 電導率
    ? α (水平電阻值/垂直電阻值)
    ? 霍爾常數
    ? 磁致電阻


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