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  • 物理特性薄膜表征系統,高度集成且易于使用的測量平臺。

    薄膜的物理性質不同于大塊材料,因為由于尺寸較小和高縱橫比使寄生表面效應更強!

    • 增強表面散射的影響(a)

    • 附加邊界散射(b)

    • 超薄層的量子約束c)?

    LINSEIS薄膜物性分析儀表征各種薄膜樣品優異測量工具。它是一種易于使用的獨立系統,使用正在申請專利的測量系統設計,可提供高質量的結果。

    組件

    基本設置包括一個可以輕松沉積樣品的測量芯片,以及提供所需環境條件的測量室。 根據應用,該設置可與鎖定放大器和/或強電磁鐵一起使用。 測量通常在UHV下進行,并且在測量期間使用LN2和強力加熱器將樣品溫度控制在-170°C和280°C之間。


    預制測量芯片

    該芯片將用于熱導率測量的3?ω技術與用于測量電阻率和霍爾系數的4Van-der-Pauw技術相結合。 貝克系數可以使用位于Van-der-Pauw電極附近的附加電阻溫度計來測量。 為了便于樣品制備,可以使用剝離箔掩?;蚪饘訇幱把谀?。 該配置允許幾乎同時表征通過PVD(例如熱蒸發,濺射,MBE),CVD(例如ALD),旋涂,滴鑄或噴墨打印制備的樣品。

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    該系統的一大優點是在一次測量運行中同時確定各種物理特性。所有測量都采用相同(平面內)方向,并且具有很高的可比性。


    基本測量單元?:

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    測量室,真空泵,帶加熱器的支架,電子頰側裝置,集成鎖相放大器,3w方法分析軟件,計算機和應用軟件??蓽y以下物理參數:

    ?

    ??λ?-?熱傳導系數?(穩態法/平面內方向)

    ??ρ?- 電阻率

    ??σ?- 電導率

    ? S - 賽貝克系數

    ???ε?– 發射率

    ? Cp - 比熱容

    ?

    磁測量單元

    ?

    可根據需求選擇集成式電磁鐵,可測物理參數如下:

    ? AH?- 霍爾常數

    ??μ?–遷移率

    ? n -載流子濃度

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    薄膜材料性能有別于塊體材料之處

    -????????因小尺寸和高縱橫比所導致的表面效應如:邊界散射和量子限域效應


    型號

    TFA? –? 薄膜物性分析儀

    溫度范圍

    RT 至 280°C
    -170°C 至 280°C

    樣品厚度

    從 5 nm 至 25 μm (根據樣品)

    測量原理

    基于芯片(預制測量芯片,每盒24個)

    沉積技術

    包括:PVD(濺射、蒸發),ALD,旋涂,噴墨打印等

    測量參數

    導熱系數 (3 ω)
    比熱

    可選模塊

    電導率/電阻率,賽貝克系數,霍爾常數/遷移率/電荷載流子濃度,
    電磁鐵最大1t或永磁鐵最大0.5t

    真空

    最高 10-5mbar

    電路板

    集成

    接口

    USB

    測量范圍

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    導熱系數

    0.05 至 200 W/m?K

    電阻率

    0.05 至 1?106?S/cm

    賽貝克系數

    5 至 2500 μV/K

    重復性

    ?

    導熱系數

    ± 7% (大多數材料)
    ± 10% (對于大多數材料)

    電阻率

    ± 3% (對于大多數材料)
    ± 6% (對于大多數材料)

    賽貝克系數

    ± 5% (對于大多數材料)
    ± 7% (對于大多數材料)






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